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AT86RF232
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Capacitive load
C Load
(1)
50
pF
Note:
1.
The capacitive load C Load should not be larger than 50pF for all I/Os. Generally, large load capacitances increase the
overall current consumption.
12.4 Digital Interface Timing Characteristics
Test Conditions: T OP = +25°C, V DD = 3.0V, C Load = 50pF (unless otherwise stated).
Symbol
f async
Parameter
SCLK frequency
Condition
Asynchronous operation
Min.
Typ.
Max.
7.5
Unit
MHz
t 1
/SEL falling edge to MISO active
180
ns
t 2
t 3
t 4
SCLK falling edge to MISO out
MOSI setup time
MOSI hold time
Data hold time
25
10
10
ns
ns
ns
t 5
LSB last byte to MSB next byte
SPI read/write, standard SRAM
250
(1)
ns
and frame access modes
t 5a
LSB last byte to MSB next byte
Fast SRAM read/write access
500
(1)
ns
mode
t 6
/SEL rising edge to MISO tri state
10
ns
t 7
t 8
SLP_TR pulse width
SPI idle time: SEL rising to falling edge
TX start trigger
SPI read/write, standard SRAM
62.5
(1)
250
Note
(2)
ns
ns
and frame access modes
Idle time between consecutive
SPI accesses
t 8a
SPI idle time: SEL rising to falling edge
Fast SRAM read/write access
500
(1)
ns
mode
Idle time between consecutive
SPI accesses
t 9
Last SCLK rising edge to /SEL rising
250
ns
edge
t 10
t 11
t 12
Reset pulse width
SPI access latency after reset
Frame buffer empty indicator latency
≥ 10 clock cycles at 16MHz
≥ 10 clock cycles at 16MHz
rising edge of last SCLK clock of
625
625
750
ns
ns
ns
the Frame Buffer read command
byte to rising edge of IRQ
t IRQ
IRQ_2, IRQ_3, IRQ_4 latency
Relative to the event to be
9
μs
indicated
f CLKM
Output clock frequency at pin 17 (CLKM) Configurable in register 0x03
0
1
62.5
MHz
MHz
kHz
Notes: 1.
2.
For Fast SRAM read/write accesses on address space 0x82 – 0x94 the time t 5 (Min.) and t 8 (Min.) increases to 500ns.
Maximum pulse width less than (TX frame length + 16μs).
145
8321A – MCU Wireless – 10/11
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